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產(chǎn)品展示/ Product display

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供應(yīng)德國進(jìn)口IGBT模塊FZ1800R17KF4

供應(yīng)德國進(jìn)口IGBT模塊FZ1800R17KF4
變頻器IGBT模塊FZ1800R17KF4
1800A 1700V大功率IGBT模塊FZ1800R17KF4
變頻傳動IGBT模塊FZ1800R17KF4

  • 產(chǎn)品型號:FZ1800R17KF4
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間:2024-12-25
  • 訪  問  量:4968
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詳細(xì)介紹

供應(yīng)德國進(jìn)口IGBT模塊FZ1800R17KF4

1800A 1700V 大功率IGBT逆變模塊FZ1800R17KF4

英飛凌IGBT模塊FZ1800R17KF4參數(shù)

IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.8KA

IGBT型號 VCES IC VCE VF
FZ1800R17KF4 1700V 400A 2.45V 2.2V

北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)德國進(jìn)口IGBT模塊FZ1800R17KF4

產(chǎn)品屬性                                          屬性值 
制造商:                                           Infineon 
產(chǎn)品種類:                                         IGBT 模塊 
產(chǎn)品:                                             IGBT Silicon Modules 
配置:                                             Triple Common Emitter Common Gate 
集電極—發(fā)射極大電壓 VCEO:                      1700 V 
在25 C的連續(xù)集電極電流:                           1800 A 
小工作溫度:                                     - 40 C 
大工作溫度:                                     + 125 C 
高度:                                             38 mm  
長度:                                            190 mm  
寬度:                                            140 mm  
商標(biāo):                                            Infineon Technologies  
安裝風(fēng)格:                                         Chassis Mount  
CNHTS:                                            8541290000  
HTS Code:                                         8541290095  
柵極/發(fā)射極大電壓:                              +/- 20 V  
MXHTS:                                            85412999  
產(chǎn)品類型:                                        IGBT Modules  
工廠包裝數(shù)量:                                    1  
子類別:                                          IGBTs  
TARIC:                                           8541290000  
零件號別名:                                      FZ1800R17KF4NOSA1

北京京誠宏泰科技專業(yè)銷售電力電子半導(dǎo)體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊;主要代理及經(jīng)銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、
SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科,DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、
Fuji富士、Fairchild飛兆半導(dǎo)體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達(dá)NIEC,美國IR,瑞士ABB,POWERSEM,NELL尼爾;yaskawa安川;
英國西瑪,西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達(dá)林頓、整流橋、二極管、場效應(yīng)模塊;日本富士(FUJI)、
日之出(HINODE)、法國羅蘭(FERRAZ)、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器;KEMET,意大利Arcotronics(AV),
Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON,法國湯姆遜TPC,日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;
紅寶石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國BHC,BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容;瑞士CONCEPT IGBT驅(qū)動、光耦、變頻器主控板、驅(qū)動板,電源板,通信板,接口板
操作面板

 

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